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尼康拟于2028财年推出新款浸没式ArF光刻机。
尼康在其2025财年第三财季财报演示文稿中披露，正与互助伙伴共同开垦一款兼容ASML主导的浸没式ArF（ArFi）光刻生态的新式光刻机，预测于2028财年推出。
尼康以为，跟着DRAM内存和逻辑半导体向三维发展，浸没式ArF光刻需求将赓续增长。为诱惑更多客户，尼康运筹帷幄使新成立与ASML的同类成立生态兼容，鲁莽用户从ASML平台迁徙至尼康平台。此举旨在普及尼康在人人光刻机市集的份额，额外是在浸没式ArF限度。
此外，新一代光刻机将摄取新镜头和工件台，具备尺寸紧凑、易于珍摄的上风。
尼康还披露，再下一代产物的开垦预测在2030年后启动。
因误判，尼康错失光刻机先机
在 193nm 波长光源的干式光刻机期间，尼康和处于最初地位。关联词在考虑下一代光源时，尼康和佳能以为开垦 154nm 波长的光源更可行，而台积电在这时提倡了一种全新时候念念路，即在晶圆前加水，诈欺水的折射特色来镌汰光辉波长以提高差异率。
面对台积电提倡的浸润式有运筹帷幄，尼康莫得摄取，而是选用连接沿着154nm 光源的标的研发。这是因为此前尼康在154nm 波长光源的研发上参预了无数资源和元气心灵，若是毁灭意味着前期的参预将付诸东流。同期，尼康也顾虑这种新时候在内容应用中会靠近诸如光学系统设想难度大、水介质对光刻流程的通晓性和一致性影响难以摈弃、与现存光刻工艺和材料的兼容性问题等时候挑战，相悖，连接在相对熟悉的波长光源时候上进行革命风险相对较低。
收尾等于这一次对时候趋势的误判导致尼康失去了在光刻机限度的最初地位。
2004年，ASML与台积电互助推出了宇宙上第一台浸润式光刻机ArFi，而后市集份额一起狂飙，当今在浸没式 ArF 光刻限度，ASML 凭借其熟悉的 TWINSCAN 双工件台时候紧紧掌持着九成以上的市集份额 。而尼康和佳能被动毁灭154nm光源谈论转而跟进浸润式光刻机开垦，但已逾期ASML。
尼康光刻机与纳米压印时候
2024 年，尼康推出 NSR-S636E 浸润式 ArF 光刻机，是尼康光刻系统中分娩率最高的产物。这款光刻机摄取增强型iAS设想，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变改良，叠加精度(MMO)更高，堪称不杰出2.1纳米；差异率小于38纳米，镜头孔径1.35，曝光面积为26x33毫米。对比刻下型号，它的合座分娩成果可提高10-15％，迪士尼彩乐园2打开创下尼康光刻成立的新高，每小时可分娩280片晶圆，停机期间也更短。
据悉，这款光刻机使用的光源时候是20世纪90年代就也曾熟悉的“i-line”，再加上有关零件、时候的熟悉化，价钱将比竞品低廉20-30％傍边。在不糟跶分娩成果的前提下，这款光刻机还可在需要高叠加精度的半导体制造中提供更高的性能，尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造。
40岁后场均数据：12.4分5.3篮板1.4助攻0.6抢断1.2盖帽，投篮50.9%（156场比赛）
赛季至今，森林狼以15胜14负的战绩排名西部第九。
这里值得一提的是纳米压印时候（NIL），无需 EUV 就能制造 5 纳米芯片。该项时候不使用光辉粗略辐射使光刻胶感光成形，而是径直在硅衬底粗略其他衬底上诈欺物理作用机理构造纳米尺寸图形。凭证刻下公开信息，其加工精度也曾达到2纳米，杰出了传统光刻时候达到的差异率。与 EUV 光刻复杂的光学系统和工艺比较，纳米压印时候通过同样 “盖印” 的款式，能在单次操作中完成复杂图案转印，大大简化了制造流程。
更为进攻的是，纳米压印光刻工艺的本钱仅为极紫外光刻的 10% 傍边，能耗也仅为极紫外光刻的 10%，成立投资本钱可降至原始 EUV 光刻机的 40%。
当今，佳能量产的 FPA-1200NZ2C 纳米压印光刻系统可用于分娩 5nm 芯片，SK海力士从佳能引进了纳米压印成立，运筹帷幄在2025年傍边使用该成立运转量产3D NAND闪存。
此外，尼康此前还晓谕正在研发首款后端工艺用光刻机，差异率为 1μm，预测在2026财年发售。
这款后端数字光刻机将半导体光刻机代表性的高差异率时候同骄横产业所用 FPD 曝光成立的多透镜组时候相交融。其曝光流程无需使用掩膜，而是诈欺 SLM（空间光调制器）来生成所设想的电路图案，从光源发出的光经 SLM 反射后通过透镜光学组，最终在基板上成像。尼康声称相较于传统的有掩膜工艺，这款新成立可同期削减后端工艺的本钱和用时。
跟着数据中心AI芯片用量的不断普及，在以 Chiplet 芯粒时候为代表的先进封装限度出现了对基于玻璃面板的 PLP 封装时候日益增长的需求，差异率高且曝光面积大的后端光刻机也愈发不能或缺。
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