发布日期：2024-08-05 15:38 点击次数：183
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好意思光科技最新的 DRAM 原型突显了它与电子和 SK 海力士在芯片制造鸿沟的渊博不合，这种各别可能会影响改日的行业竞争。
好意思光采纳尽量减少使用极紫外 (EUV) 光刻时刻，转而依靠熟习的氩氟浸没 (ArFi) 光刻时刻来加快坐褥。比拟之下，三星和 SK 海力士计较扩大对 EUV 层的使用，业内大家暗示，此举可能会影响遥远产量、坐褥后果和芯片性能。
据业内东说念主士披露，好意思光公司在 2 月份推出的 10 纳米级第六代 (D1c) DRAM 中，只在有限的几个活动中接管了 EUV。好意思光公司的一位发言东说念主暗示：“EUV 时刻仍然零落完全的踏实性，因此咱们只在足够必要的情况下才使用它。咱们以为，在评估了老本和坐褥力之后，这是正确的时机。”
三星是业内首家接管 EUV 进行内存芯片坐褥的公司，自 2020 年以来，该公司一直在稳步扩大 EUV 的使用范围。该公司源流将 EUV 运用于第三代 10 纳米 (1z) DRAM 的单层，其后加多了 EUV 层的数目。其行将推出的 D1c DRAM 将具有五层以上的 EUV 层。
SK 海力士选用了更为严慎的作念法。该公司于 2021 年在 DRAM 制造中引入了 EUV，从其第四代 10 纳米 (D1a) DRAM 开动，其中仅使用了一个 EUV 层。SK 海力士当今计较在其下一代 D1c DRAM 中运用五个或更多的 EUV 层，以适应三星的战术。
好意思光历来幸免在 DRAM 坐褥中使用 EUV，并陆续选用保守的作念法。其最近寄托的 D1c DRAM 原型仅使用一个 EUV 层，严重依赖基于 ArFi 的多重图案化。可是，迪士尼彩乐园3网站行业分析师劝诫称，跟着芯片筹划变得越来越先进，仅依靠 ArFi 光刻可能会导致制品率下落和坐褥老本上涨，这可能会使好意思光在取得高性能 DRAM 订片面处于不利地位。
一位行业大家暗示：“现时，用基于 ArFi 的多重图案化时刻取代单一 EUV 层是可行的，但跟着 EUV 层的数目杰出三层，复杂性差距将扩大。”“在大限制坐褥中，三星和 SK 海力士领有多年踏实 EUV 工艺的教授，很可能在产量和产量方面占据上风。”
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三星领有杰出 30 台 EUV 机器，是三家内存制造商中最多的。在第四代和第五代 10 纳米 DRAM 碰到困难后，三星正在对其 EUV 工艺进行调理。该公司专注于编削光刻胶材料、编削光源和增强掩模时刻，里面评估娇傲产量和工艺后果有所跨越。
https://www.chosun.com/english/industry-en/2025/03/10/GZWB6BSEZRCK3LFSZR5CIW62YI/
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